先進散熱基板與技術能力 Advanced Heat Dissipation Substrate and Technical Capabilities

隨著半導體元件(例如高功率LED、雷射二極體LD)的功率密度不斷提高,特別是高功率、高密度、高頻元件的散熱和互聯需求密切相關,凌嘉科技已成功將其精密的真空濺鍍製程技術,應用於高效能的先進散熱基板。其先進散熱基板解決方案,專為推動未來科技發展的關鍵應用而生,從工業雷射、光通訊、感測器到醫療領域的雷射模組,皆是不可或缺的一環。

凌嘉科技的核心優勢,建立在從設備到製程的垂直整合能力之上,得以在氧化鋁 (Alumina)、氮化鋁 (Aluminum Nitride, AlN) 乃至碳化矽(Silicon Carbide, SiC)等不同基板材質上,製作出精細的金屬化線路,不僅滿足高功率元件小型化、高整合度的設計需求,更提供高導熱、高絕緣及高可靠度的產品特性。

更關鍵的是,先進散熱基板的製造過程,採用了凌嘉自主研發、已在半導體系統級封裝 (SiP) 領域達到市佔率第一的濺鍍設備。憑藉此一優勢,結合真空濺鍍、電漿蝕刻的核心技術與多年的量產經驗,凌嘉科技實現了從設備到代工的完整供應鏈整合,能有效縮短客戶產品開發時程,並確保穩定的品質與產能。基於深厚的鍍膜技術,公司提供高度靈活的客製化代工服務,主要產品分為厚膜 (Thick Film) 與薄膜 (Thin Film) 兩大類,有信心能為客戶提供最全面的散熱解決方案。

 

項目 厚膜(Thick Film) 薄膜(Thin Film)
實物照片 Thick Film Thin Film
應用領域 工業雷射、光通訊、感測器、醫療
膜層結構 Thick Film Structure Thin Film Structure
Structure Comparison
Substrate
Material AlN(170, 200, 230W/mK) AlN(170,200,230W/mK)
SiC(280, 380W/mK) SiC(280, 380W/mK)
Thickness 0.3~0.4mm; 0.15~0.3mm(customized) 0.15~0.4mm
Size AlN: 4.5"x4.5" panel 2"x2" panel
SiC: 6" wafer
Metal
Layer
Matel content Cu/Ni/Au: 30~80μm/>1μm/>0.5μm Ti/Pt/Au=0.06~0.1μm/0.2μm/0.3~1μm
Metal thickness Cu: 30~100μm ±15μm Ti/Pt/Au: 0.1μm/0.2μm/1μm ±10%
Pattern L/S=100/150μm (Cu thickness>50μm L/S=30/30μm
Bonding
Layer
AuSn thickness 2μm~6μm±10% 2μm~6μm±10%
AuSn content Au/Sn:75/25±5wt% Au/Sn:75/25±5wt%
Others
Dicing ±50μm(std); ±15μm (special spec.) ±50μm(std); ±15μm (special spec.)
Reference model 4558/4550/4048 0707/0912/0407/0808
Capacity (per month) 7k~30k (4.5"x4.5" panel) 1k (2"x2" panel)

 

凌嘉科技致力於為客戶提供高品質的先進鍍膜代工服務,我們擁有一支經驗豐富的團隊,能夠根據客戶的需求進行定制化的加工和製造。無論是小批量還是大批量生產,我們都能夠確保交付準時且符合客戶要求的產品。如果您需要相關產品的打樣或量產服務,請與我們聯繫,我們將竭誠為您提供卓越的解決方案。

敬請於官網「聯絡我們」頁面留下您的聯繫方式及簡述代工需求。凌嘉科技將盡速與您聯繫,並依據您所提供的需求研議代工可行性,及積極進行後續商務洽談。